关于GaN的10个重要事实

2019-08-16 03:41 来源:线上365bet正网
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关于GaN的十大重要事实:
首先,GaN器件的功率密度比GaAs器件高10倍。
由于GaN器件的功率密度更高,它们可以提供更大的带宽,更大的放大器增益和更高的效率,因为器件尺寸减小了。
其次,GaN FET器件的工作电压是类似GaA器件的五倍。
由于GaN FET器件可以在更高的电压下工作,因此设计人员可以更容易地在窄带放大器设计中实现阻抗匹配。
阻抗设置是指在设计负载输入阻抗时最大化从器件到负载的功率传输。
第三,GaN FET器件提供的电流是GaAs FET的两倍。
GaN FET器件具有更高的固有带宽能力,因为GaN FET器件提供的电流是GaAs场效应器件的两倍。
第四,器件级氮化镓的热通量是来自太阳能表面的热通量的五倍。
热流是每单位面积的传热系数。
氮化镓是一种高功率密度器件,因此它可以在非常小的空间内散热并产生高热流。
因此,GaN器件的热设计非常重要。
碳化硅的导热系数是砷化镓的六倍,是硅的三倍。
碳化硅具有高导热性,这使其成为高功率密度RF应用的优选基板。
氮化镓的化学键合强度是砷化镓的三倍。
因此,氮化镓具有更大的能隙并且可以承受更高的电场和更高的工作电压。
氮化铝铝镓氮化物结构的压电性是砷化铝镓砷的五倍。
我们知道压电在GaN中很重要。
电学和物理性质是相关的,因为氮化镓和铝和氮化镓的结构具有高压电性。
基于碳化硅的氮化镓材料网络的位错密度比砷化镓的位错密度大约10,000倍。
因此,与需要电路设计者更多关注的类似砷化镓器件相比,栅极电流趋于更高。
9.氮化铝和氮化镓的应力是砷化铝和砷化镓的20倍。
应力分析在各个层面都很重要,因为氮化铝和氮化镓的变形能力大于类似的砷化镓系统。
X. TriQuint GaN器件在200摄氏度下工作一百万小时,故障率低于零。
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